每經(jīng)編輯｜黃勝    

繼今年4月在《自然》提出“破曉”二維閃存原型器件后，復(fù)旦大學(xué)科研團隊又迎來新突破。

據(jù)復(fù)旦大學(xué)公眾號消息，北京時間10月8日晚，復(fù)旦大學(xué)在《自然》（Nature）上發(fā)文，題目為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》（“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”），相關(guān)成果率先實現(xiàn)全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片，攻克新型二維信息器件工程化關(guān)鍵難題。

圖片來源：復(fù)旦大學(xué)公眾號截圖

面對摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰(zhàn)，具有原子級厚度的二維半導(dǎo)體是目前國際公認的破局關(guān)鍵，科學(xué)家們一直在探索如何將二維半導(dǎo)體材料應(yīng)用于集成電路中。當(dāng)前，國際上對二維半導(dǎo)體的研究仍在起步階段，尚未實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。

大數(shù)據(jù)與人工智能時代對數(shù)據(jù)存取性能提出了極致要求，而傳統(tǒng)存儲器的速度與功耗已成為阻礙算力發(fā)展的“卡脖子”問題之一。今年4月，周鵬-劉春森團隊于《自然》（Nature）期刊提出“破曉”二維閃存原型器件，實現(xiàn)了400皮秒超高速非易失存儲，是迄今最快的半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)，為打破算力發(fā)展困境提供了底層原理。

“從目前技術(shù)來看，存儲器是二維電子器件最有可能首個產(chǎn)業(yè)化的器件類型。因為它對材料質(zhì)量和工藝制造沒有提出更高要求，而且能夠達到的性能指標(biāo)遠超現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，可能會產(chǎn)生一些顛覆性的應(yīng)用場景。”在存儲器領(lǐng)域深耕多年的周鵬認為。

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